:::
p-i-n型半導體（核輻射）偵檢器 - 教育百科
| p | |
| - | |
| i | |
| - | |
| n | |
| 型 | |
| 半 | |
| 導 | |
| 體 | |
| （ | |
| 核 | |
| 輻 | |
| 射 | |
| ） | |
| 偵 | |
| 檢 | |
| 器 |
國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | p-i-n semiconductor (nuclear radiation) detector |
| 日期： | 1984年 |
| 出處： | 保健物理辭典 |
辭書內容
|
名詞解釋： 於p層與n層之間具有耗乏或近於耗乏區域半導體的核輻射偵檢器。是鋰(Li)漂移偵檢器的一種。 如下圖所示： |
|
| 資料來源： | 國家教育研究院_p-i-n型半導體（核輻射）偵檢器 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |