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平面型半導體（核輻射）偵檢器
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p層與n層之間作成平行板電極之形式，其間具有核輻射敏惑部分的半導體偵檢器。見下圖所示：
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高純度鍺偵檢器
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鋰漂移鍺偵檢器，具有所謂時常需要加以液態氮冷却之缺點。為改進這缺點已成功地發展高純度鍺單晶體（雜質濃度～1010公分-3）的p-n接合偵檢器。僅於使用時需要液態氮冷却。現在使用者計有平面型，同軸型，閉端同軸型。亦稱超純鍺偵檢器(hyper-pure germanium detector)，固有鍺偵檢器(intrinsic germanium detector)。
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硼（或鋰）被覆半導體偵檢器
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藉偵檢10B(n,α)7Li反應或6Li(n,α)3H反應結果所產生的α粒子，以測定中子為目的，而將硼或鋰被覆於半導體的偵檢器。
如下圖所示： |
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閉端同軸半導體（核輻射）偵檢器
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垂直於圓柱狀單晶體軸的一個表面中心部分，以及其餘全部表面分別作為負電極與正電極。在其二電極之間具有核輻射敏感區域之半導體核輻射偵檢器。可製成具有大體積敏感區域的偵檢器。亦稱單一開端同軸偵檢器(single-open-end coaxial detector)，五邊偵檢器(five-sided detector)。
如下圖所示： |
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1/v偵檢器
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對於中子與物質起反應的截面，利用其與中子速度成v成反比的物質，換算成中子密度n或某特定速度v0的中子，以測定中子通率nv0的偵檢器。
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透過型半導體（核輻射）偵檢器
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如同核輻射可完全透射偵檢器，具有薄窗與敏感層之半導體核輻射偵檢器。
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化合物半導體偵檢器
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使用由兩種以上的元素化合而成的半導體物質的核輻射偵檢器。正在發展之中計有鎵砷(GaAs)，鎘碲(CdTe)，碘化汞(HgI2)偵檢器等。
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閃爍偵檢器
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利用閃爍器的輻射偵檢器。一般係由閃爍器與光電倍增管組合而成。
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輻射偵檢器
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廣義而言指任何材料受到游離輻射的作用時，能產生適當反應可供觀測者。狹義而言即指輻射偵檢儀器(radiation detection instrument)，為偵測和記錄游離輻射場特性的裝置，包括偵檢器及指示系統。偵檢器指對輻射敏感的物質或設備，可以產生適於度量或分析的回應訊號。
儀器或物質用於轉化輻射能量使其成為適於指示、度量的能量形式。
如下圖所示： |
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謝倫可夫偵檢器
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游離輻射偵檢器的一種，利用謝倫可夫效應而能計測高速荷電粒子。
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貓頭鷹博士