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回跳質子半導體偵檢器
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置含有氫原子的物質於半導體偵檢器的前面，測定由中子引起的回跳質子能量，而測定中子能量的半導體偵檢器。
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熱發光偵檢器
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當游離輻射撞擊物質時，利用具有熱發光能力的物質，以測定輻射劑量的偵檢器。經游離輻射照射後，可藉加熱，使對應於所接受輻射劑量的量甜發光，英文簡稱為TLD。
如下圖所示： |
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輻射和偵檢器的互應作用
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大部分的輻射度量儀是利用輻射引起氣體游離作用。γ射線或中子因本身不能直接引起作用，所以係利用間接的效應。除氣體的游離作用外，還可利用引起螢光或感光作用。各種輻射和偵檢器間的互應作用可用圖解法說明如下。
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自供電源中子偵檢器
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藉塗敷由與中子的互應作用而引起β發射或電子發射的物質，測定經由中子照射所產生的電流而測量中子通率的偵檢器。不需要來自外部施加的電壓。
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核分裂半導體偵檢器
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為偵檢核分裂碎片而以測定中子為目的，將能引起核分裂的物質被覆於半導體的偵檢器。
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零偵檢器
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用以偵檢或裝置的完全平衡或零輸出條件。
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偵檢器偏壓電源
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於偵檢器以供給施加電壓的電源供應。
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螢光偵檢器
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當游離輻射撞擊物質時，利用具有發螢光能力的物質，以測定游離輻射劑量的偵檢器。游離輻射照射後藉光子之碰撞，對應於所接受輻射劑量之量，而以另一波長而發光者。作為螢光物質之例為銀活化硫酸玻璃等。由於玻璃以外之材料並不實用，一般不稱光螢光劑量計，而稱為螢光玻璃劑量計。
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夾心型半導體偵檢器
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由6Li或3He的中子互應作用所產生的粒子，藉兩個相對應對半導體偵檢器予以偵檢，而測定中子能量的半導體偵檢器。
如圖下所示： |
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固態徑跡偵檢器
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重荷電粒子於通過固體時所產生的輻射損傷，藉蝕刻(etching)而擴大，使可觀察以測知粒子數、方向、以及性能等的偵檢器。通常觀測是利用顯微鏡，亦有利用火花計數器(spark counter)。
如下圖所示： |
 曾經查過此詞彙的人也經常查詢以下字詞： |
貓頭鷹博士