:::
資料庫查詢時間：281.2499 ms
共 36 筆資料，
每頁顯示
筆資料
縮小搜尋結果範圍
適用年級
媒體形式
排序方式：
關鍵字 |
搜尋次數 |
關聯性
:::
你是不是要搜尋以下結果
|
偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
將入射的游離輻射轉變為電的輸出裝置。
|
|
半導體（核輻射）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
藉核輻射的作用，利用半導體中的電子、電洞對之生成及其移動的核輻射偵檢器。作為半導體可使用矽(Si)、鍺(Ge)、鎵砷(GaAs)、鎘碲(CdTe)等。亦稱半導體（核輻射）計數器，固態偵檢器（簡稱SSD）。如下圖所示：
|
|
p-i-n型半導體（核輻射）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
於p層與n層之間具有耗乏或近於耗乏區域半導體的核輻射偵檢器。是鋰(Li)漂移偵檢器的一種。
如下圖所示： |
|
微分dE／dX型半導體偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
為了測定在偵檢器的厚度dX中荷電粒子的能量損失dE，較之入射荷電粒子的行程具有薄敏感層之半導體核輻射偵檢器。主要是用於荷電粒子的識別。
|
|
鋰漂移半導體（核輻射）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
在p形矽或鍺將鋰經電場漂移，除去受體雜質的電荷而作成高的阻抗層，以保持厚的敏感部分之核輻射偵檢器。為p-i-n偵檢器的一種。鋰漂移矽偵檢器的寫法是Si(Li)偵檢器。鋰漂移鍺之寫法為Ge(Li)偵檢器。
如下圖所示： |
|
（內部）放大型半導體（核輻射）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
藉游離的核輻射作成一電洞、電子對，更進一步如電子突崩般地藉電子二次過程而能產生倍增放大信號的核輻射偵檢器。有於圓錐狀之平面形半導體偵檢器作成高電場者，亦有用電晶體的方式。
|
|
表面障壁半導體（核粒子）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
藉表面障壁使用整流性接合的半導體輻射偵檢器。例如在n形矽上電鍍金的荷電粒子偵檢器。
|
|
擴散接合體半群體（核射輻）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
利用擴散施體(donor)或受體(acceptor)雜質而作成之p-n接合或n-p接合的半導體游離輻射偵檢器。亦稱p-n接合偵檢器(p-n junction detector)，n-p接合偵檢器(n-p junction detector)，或接合偵檢器(junction detector)。
|
|
全部耗乏層型半導體（核輻射）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
具有薄窗而偵檢器的厚度全部被耗乏層所占有的偵檢器。
|
|
同軸半導體（核輻射）偵檢器
瀏覽人次:0
收藏人次:0
為同軸圓柱狀，於外圍與中心軸部分之間具有敏感部分的半導體核輻射偵檢器。通常的同軸型鍺（鋰）[Ge (Li)]偵檢器為外周部分是n+層，中心軸部分是p層，在此二者之間具有鋰(Li)補償之耗乏區域。可製成具有大體積敏感部分的偵檢器。亦稱真同軸偵檢器(true coaxial detector)，或二開端同軸偵檢器(two-open-end coaxial detector)。
如圖下所示： |
 曾經查過此詞彙的人也經常查詢以下字詞： |
貓頭鷹博士