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鋰漂移半導體(核輻射)偵檢器

國家教育研究院辭書

基本資料
英文: lithium-drifted semiconductor (nuclear radiation) detector
日期: 1984年
出處: 保健物理辭典
辭書內容
名詞解釋:
  在p形矽或鍺將鋰經電場漂移,除去受體雜質的電荷而作成高的阻抗層,以保持厚的敏感部分之核輻射偵檢器。為p-i-n偵檢器的一種。鋰漂移矽偵檢器的寫法是Si(Li)偵檢器。鋰漂移鍺之寫法為Ge(Li)偵檢器。
  如下圖所示:
  在p形矽或鍺將鋰經電場漂移,除去受體雜質的電荷而作成高的阻抗層,以保持厚的敏感部分之核輻射偵檢器。為p-i-n偵檢器的一種。鋰漂移矽偵檢器的寫法是Si(Li)偵檢器。鋰漂移鍺之寫法為Ge(Li)偵檢器。
  如下圖所示:
資料來源: 國家教育研究院_鋰漂移半導體(核輻射)偵檢器
授權資訊: 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出
貓頭鷹博士
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