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p-i-n型半導體（核輻射）偵檢器 - 教育百科
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國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | p-i-n semiconductor (nuclear radiation) detector |
| 日期： | 1984年 |
| 出處： | 保健物理辭典 |
辭書內容
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名詞解釋： 於p層與n層之間具有耗乏或近於耗乏區域半導體的核輻射偵檢器。是鋰(Li)漂移偵檢器的一種。 如下圖所示： |
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| 資料來源： | 國家教育研究院_p-i-n型半導體（核輻射）偵檢器 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |
貓頭鷹博士
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