:::
疊閘突崩注入型金氧半導體記憶體 - 教育百科
| 疊 | |
| 閘 | |
| 突 | |
| 崩 | |
| 注 | |
| 入 | |
| 型 | |
| 金 | |
| 氧 | |
| 半 | |
| 導 | |
| 體 | |
| 記 | |
| 憶 | |
| 體 |
國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | stacked-gate avalanche injection type MOS memory (SAMOS memory) |
| 日期： | 2003年6月 |
| 出處： | 資訊與通信術語辭典 |
辭書內容
|
名詞解釋： 在金氧半導體記憶體當中，堆疊的閘級突然發生崩潰注入的記憶體。 |
|
| 資料來源： | 國家教育研究院_疊閘突崩注入型金氧半導體記憶體 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |