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壓抗應變計 - 教育百科
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| 抗 | |
| 應 | |
| 變 | |
| 計 |
國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | piezoresistive strain gauge |
| 作者： | 張培仁 |
| 日期： | 2002年12月 |
| 出處： | 力學名詞辭典 |
辭書內容
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名詞解釋： 一個導體成半導體材料之電阻R與電阻係數ρ之關係可表為R=ρ(L/A)，其中L為材料之長度；A為截面積。由上式取微小的變量可以得到ΔR/R=(1+2v)(ΔL/L)+(Δρ/ρ)，其中v為材料的帕桑比(Poisson ratio)。上式右邊第一項是材料幾何形狀的變化，第二項是壓抗效應。如果Δρ/ρ正比於ΔL/L，則上式可寫為ΔR/R=K‧(ΔL/L)；亦即電阻的變化率正比於應變ΔL/L。 應用上述原理，我們可以利用金屬線、金屬薄膜、成半導體薄膜來測量物體之應變。這類之裝置，稱為壓抗應變計。 |
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| 資料來源： | 國家教育研究院_壓抗應變計 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |
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