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::: 壓抗應變計 - 教育百科
國家教育研究院辭書
基本資料
英文: piezoresistive strain gauge
作者: 張培仁
日期: 2002年12月
出處: 力學名詞辭典
辭書內容
名詞解釋:
  一個導體成半導體材料之電阻R與電阻係數ρ之關係可表為R=ρ(L/A),其中L為材料之長度;A為截面積。由上式取微小的變量可以得到ΔR/R=(1+2v)(ΔL/L)+(Δρ/ρ),其中v為材料的帕桑比(Poisson ratio)。上式右邊第一項是材料幾何形狀的變化,第二項是壓抗效應。如果Δρ/ρ正比於ΔL/L,則上式可寫為ΔR/R=K‧(ΔL/L);亦即電阻的變化率正比於應變ΔL/L。
  應用上述原理,我們可以利用金屬線、金屬薄膜、成半導體薄膜來測量物體之應變。這類之裝置,稱為壓抗應變計。
資料來源: 國家教育研究院_壓抗應變計
授權資訊: 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出
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