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抗靜電裝置
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一種裝置，用以使設備的靜電建立所產生的衝擊最小化，如設備損毀或電腦資料的損失。抗靜電裝置有不同形式，如地方板舖，有袖口電線附接於工作站、噴霧器、洗劑以及其他特殊目的裝置。
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抗混淆
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以漸進灰階像素填塞兩個不同色彩連接處以減少強烈的對比，而得到比較平順視覺效果的一種處理方式。如處理得好，可以消除文字或物件邊緣鋸齒狀的情形。
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壓抗比例常數
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當半導體材料受到應力作用時，其電阻係數ρ會隨之變化。兩者之關係可表為ρi=ρ0(1+πijklσkl)Jj，其中πijkl為材料之壓抗常數；σkl為應力大小；Jj為電流密度。
以矽晶體為例，由於晶格的對稱性，只要π1111，π1122，及π2323即可表示矽晶體之壓抗特性，其餘πijkl之項與前三者之一相同或為0。 |
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抗重力機能
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生理學名詞。對抗重力保持身體直立姿勢的作用，稱為抗重力機能。
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抗致癌物
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干擾癌症生成之物質，機轉可能包括阻斷間接致癌物之活化，加強致癌物之去活化，加強DNA修護能力，免疫力的增強，及抑制細胞生長增殖。
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抗障性
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亦稱容錯性，指電腦系統中即使有一個或多個零組件故障時，依然能正確地持續操作之能力。
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壓抗應變計
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一個導體成半導體材料之電阻R與電阻係數ρ之關係可表為R=ρ(L/A)，其中L為材料之長度；A為截面積。由上式取微小的變量可以得到ΔR/R=(1+2v)(ΔL/L)+(Δρ/ρ)，其中v為材料的帕桑比(Poisson ratio)。上式右邊第一項是材料幾何形狀的變化，第二項是壓抗效應。如果Δρ/ρ正比於ΔL/L，則上式可寫為ΔR/R=K‧(ΔL/L)；亦即電阻的變化率正比於應變ΔL/L。
應用上述原理，我們可以利用金屬線、金屬薄膜、成半導體薄膜來測量物體之應變。這類之裝置，稱為壓抗應變計。 |
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終端阻抗
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係指在零負載之下，某傳輸線路或設備的輸入端或輸出端部份測得之阻抗值。
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放射抵抗
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細胞、組織、器官、或有機體對於游離輻射傷害作用的相對抵抗。本術語亦可用於化學的化合物。
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泡疇抗磁性
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指泡疇（域）移動所需要的最小磁場差。通常用符號Hcd表示，其單位為安╱公尺（A/m）或奧斯特。
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 曾經查過此詞彙的人也經常查詢以下字詞： |
貓頭鷹博士