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光二極     
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為一種半導的二極,其逆向電流常隨照明而變化,即流過二極的電流量與入射光線的量有關。
膜積電路;薄膜積電路     
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一種微電子電路,於其上置放被動元件,其金屬接點直接形成於絕緣平板上,而主動之半導設備則依序加上去。
記憶同位中斷     
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指系統檢測出記憶的同位發生錯誤時所發出的中斷。
白塞爾橢球     
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係大地位置計算採用參考橢球之一,其半長軸為6,377,397.2公尺,扁率為1/299.1528。見地球半徑。
拉式媒     
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散布的一種模型;用戶需請求資料才會傳送。
雷射記憶     
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一種可用雷射光輸入輸出資料的記憶媒。例如應用塑料製成大容量的雷射記憶
真實液     
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  以理論探討流的運動現象和特性時,為解析的方便或可行性,經常會簡化實際複雜的運動現象,或簡化複雜的流特性。因此,在解析液的流動現象時,有時會假設液為不可壓縮,或不具黏性,或各種物理特性與溫度無關等等。假如液本身的特性都不作任何假設,則稱之為真實液
檔案格式     
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應用程式內部用以處理資料的格式。應用程式必須將其他格式之檔案轉換為本檔案格式才能處理。例如文字處理程式可以識別ASCII文件格式,但必須轉換為其本格式才能顯示。
等應變四面     
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  在有限單元法(finite element method)的推導過程中,四面為立三維單元之一種。四面中任一點P之座標可以四面特有的座標系統L1、L2、L3、L4來表示,而Li,I=1,2,3,4,表示點P至該頂點所對應之底邊三頂點連線形成之小四面積與整個四面積之比,其與P點座標(x,y,z)有如下之關係:
  
  由上式可求出如下之線性多項式形式:
  
  其中V為(1)式之矩陣行列式值的1/6,即四面積,C0i、C1i、C2i、C3i皆為常數。
  四面中任一點之位移(u,v,w)可表示成
...
控制記憶     
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指微程式控制時用以儲存微指令的記憶
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