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函數     
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  材料的應力和其承受應變的經歷有關,且與應變大小、應變振幅及應變率皆有關係,若將這些因素以一函數表示,讓此函數記材料的應變經歷,以作為力學分析之用,此函數稱之記函數。
短期記     
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指會因失電性或其他因素導致記資料消失或破壞的記體。
磁帶記     
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一種表面塗有磁性材料的帶狀記錄媒體。靠單主動輪式、雙主動輸式及真空主動輪式傳動,由讀寫磁頭存取資料。磁帶寬度有半英吋寬的磁帶機,其記錄密度有每吋800位元組、1600位元組、6250位元組及12500位元組等。
磁記     
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指磁性物質製作的記體。
超音波記     
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指利用超音波脈衝在延遲線中的延遲來儲存資料的設備。
分段記體架構     
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參【分段定址架構】(segmented addressing architecture)。
可再程式化唯讀記     
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一非揮發性記體晶片,在製造後被程式化成PROM,若將晶片的保護蓋移走,曝露晶片於紫外線之下,則該晶片可被再程式化。雖然EPROM比一般PROM貴,但若需求多變換時,則符合成本效益。
一種動態隨機存取記體,用於此FPM DRAM(檔案保護記體DRAM)更快速地存取記體鄰近位置。只有在讀取連續記區時,效率才會有明顯的提升,故當做主記體的效能並沒有比傳統的動態隨機存取記體好很多,但放在顯示卡上時,則工作效率有顯著提升。EDO-DRAM允許資料輸出在CAS╲信號變不活動後維持活動,使用附加信號OE╲以控制資料輸出。它被用於管線系統(pipelined system)做重疊存取,其下一循環係在前一循環的資料從匯流排移出之前開始。EDODRAM原用於英特耳的奔騰處理機,因係配合較慢處理機,故無顯著效益。為了善用EDO的先進特徵,必須使用像Triton等合適晶片組。早於19...
固定遮罩型唯讀記     
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根據固定遮罩型態以設計製成的唯讀記體。
控制唯讀記     
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指存放事先編寫的微指令之唯讀記體。
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