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光束記     
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利用光束進行存取的儲存器。它有兩種方式:一種是按位串行的儲存器,一種是採用全像術(holography)按頁的儲存器,此兩種均有較高的位元密度(104∼105位元╱平方公分)和較高的儲存容量(108∼1010位元),它是用雷射掃瞄對儲存單元進行查尋,因此需要配備雷射光光源和電光偏轉器。
高速記     
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同【快速存取記體】(rapid access memory)。
區域記     
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在多處理機系統中,指和處理機在同一卡片或高速匯流排上的記體。通常其它處理機是不能存取該記體,除非透過某種形式的許可。
存取記     
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指將資料從主記取出,存到中央處理機的暫存器,或將暫存器的資料存入主記體的過程,所需的記體。
體週期     
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係對記體連續兩次存取間,從第一次開始到第二次開始間的時間。
高記     
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指IBM PC個人電腦擴充記體的第一塊64千位元組。Intel 80×86處理機在真實模式可實際定址17*64 k位元組的記體空間(即由0000:0000到ffff:ffff)。而在Intel的8086和8088處理機是無法定址超過1M位元組的記體空間。為保持相容性,一個稱為A20的特定程式可動態控制定址模式,因此程式可載入1024∼1088 kbyte區域並以真實模式方式執行。
毫微程式記     
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存放毫微程式的控制記體。參見nanoprogram(毫微程式)。
磁全像記體型式     
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係將全像技術用在光儲存裝置上,使儲存媒體上每一小區域皆可存入一頁資料。
內部快取記     
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指和中央處理單元封裝在同一晶片中的快取記體。同【L1快取】(L1 cache)。
慢速記     
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參【低速儲存】(low speed storage)。
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