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化合物半導體偵檢器
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使用由兩種以上的元素化合而成的半導體物質的核輻射偵檢器。正在發展之中計有鎵砷(GaAs)，鎘碲(CdTe)，碘化汞(HgI2)偵檢器等。
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含雜質半導體
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指含有P–型或N–型非純物質的半導體。半導體可導電的原因為含有P－型或N－型不純物質，在一定條件下（如加熱），迫使標準狀態產生新的電子間隙或電子帶。參【半導體】（semiconductor）。
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互補式金氧半導體記憶體
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使用互補式金氧半導體的記憶體元件，其優點為功率消耗低，而缺點為工作速度較慢。參【互補式金氧半導體】（CMOS memory）。
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玻璃半導體
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像玻璃般具有無定形結構的半導體；通常可分為氧化物玻璃半導體和硫化物玻璃半導體。
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金氮氧半導體；金屬氮化物氧化物半導體記憶體
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一種只有用電的方式才能擦去記憶內容的非揮發性記憶體。
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金氧半導體動態隨機存取記憶體
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同【金屬氧半導體隨機存取記憶體】（metal oxide semiconductor random access memory module; MOSRAM）。
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互補金氧半導體隨機存取記憶體
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一種耗電量低的隨機存取記憶體。通常以電池作為備援電源於主電源關閉後能保持其所儲存的資料，常用以儲存保持系統的時間和日期等動態資料。在一般情況下電池可使用三年以上。由於耗電低，故可使用較小的電源供應設備。也因散熱少可用較小的冷卻裝置，故可以縮減整個設備的空間。也因不會產生高溫使得整個設備的故障率大為降低。
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擴散自對準金氧半導體積體電路
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一種以擴散自對準的處理程序而製成的金氧半導體積體電路。
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玻璃半導體裝置
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利用玻璃半導體製作的裝置。其結構是在兩個電極之間夾上一層厚約0.5微米的玻璃半導體薄膜。可作為無存儲作用裝置與有存儲作用裝置兩種。
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疊閘突崩注入型金氧半導體記憶體
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在金氧半導體記憶體當中，堆疊的閘級突然發生崩潰注入的記憶體。
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 曾經查過此詞彙的人也經常查詢以下字詞： |
貓頭鷹博士