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磁全像憶體型式     
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係將全像技術用在光儲存裝置上,使儲存媒體上每一小區域皆可存入一頁資料。
內部快取憶體     
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指和中央處理單元封裝在同一晶片中的快取憶體。同【L1快取】(L1 cache)。
錄間間隙     
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指在使用磁或光學做資料錄之裝置中,在每筆資料錄間留下之間隙,用以防止互相干擾或作為同步讀取之用。
慢速憶體     
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參【低速儲存】(low speed storage)。
憶體轉移     
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係將存在憶體中的資料轉移到其他儲存裝置。
錄結束     
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表示錄的資料已處理完畢。
中間憶體     
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一種高速緩衝憶體。常用於大型主憶體和高速處理機暫存器之間,以保存高速執行中的資料。
動態憶體     
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一種半導體憶體。所儲存的資料需要控制信號不斷重寫或再生的更新,否則其資料可能消失。例如MOS憶體為一種典型的動態憶體。
零防護帶     
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同【方位磁性錄】(azimuth magnetic recording)。
相聯憶體     
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憶單元若按其內容來進行存取,則稱之為相聯憶體。此種憶體係以資料的內容為基礎,同時並行地存取,而非一般使用位址來存取;當一個字元被寫入相聯憶體時,不須提供位址,而一個字元由相聯憶體讀出時,字元的內部或其部份內容必須被聲明,以便順利取出資料。憶體會錄下所有合乎條件的字元,並加註號以便讀出。
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