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半導體（核輻射）偵檢器     
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　　藉核輻射的作用，利用半導體中的電子、電洞對之生成及其移動的核輻射偵檢器。作為半導體可使用矽(Si)、鍺(Ge)、鎵砷(GaAs)、鎘碲(CdTe)等。亦稱半導體（核輻射）計數器，固態偵檢器（簡稱SSD）。如下圖所示：
p-i-n型半導體（核輻射）偵檢器     
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　　於p層與n層之間具有耗乏或近於耗乏區域半導體的核輻射偵檢器。是鋰(Li)漂移偵檢器的一種。
　　如下圖所示：
鋰漂移半導體（核輻射）偵檢器     
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　　在p形矽或鍺將鋰經電場漂移，除去受體雜質的電荷而作成高的阻抗層，以保持厚的敏感部分之核輻射偵檢器。為p-i-n偵檢器的一種。鋰漂移矽偵檢器的寫法是Si(Li)偵檢器。鋰漂移鍺之寫法為Ge(Li)偵檢器。
　　如下圖所示：
（內部）放大型半導體（核輻射）偵檢器     
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　　藉游離的核輻射作成一電洞、電子對，更進一步如電子突崩般地藉電子二次過程而能產生倍增放大信號的核輻射偵檢器。有於圓錐狀之平面形半導體偵檢器作成高電場者，亦有用電晶體的方式。
同軸半導體（核輻射）偵檢器     
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　　為同軸圓柱狀，於外圍與中心軸部分之間具有敏感部分的半導體核輻射偵檢器。通常的同軸型鍺（鋰）[Ge (Li)]偵檢器為外周部分是n+層，中心軸部分是p層，在此二者之間具有鋰(Li)補償之耗乏區域。可製成具有大體積敏感部分的偵檢器。亦稱真同軸偵檢器(true coaxial detector)，或二開端同軸偵檢器(two-open-end coaxial detector)。
　　如圖下所示：
全部耗乏層型半導體（核輻射）偵檢器     
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　　具有薄窗而偵檢器的厚度全部被耗乏層所占有的偵檢器。
平面型半導體（核輻射）偵檢器     
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　　p層與n層之間作成平行板電極之形式，其間具有核輻射敏惑部分的半導體偵檢器。見下圖所示：
閉端同軸半導體（核輻射）偵檢器     
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　　垂直於圓柱狀單晶體軸的一個表面中心部分，以及其餘全部表面分別作為負電極與正電極。在其二電極之間具有核輻射敏感區域之半導體核輻射偵檢器。可製成具有大體積敏感區域的偵檢器。亦稱單一開端同軸偵檢器(single-open-end coaxial detector)，五邊偵檢器(five-sided detector)。
　　如下圖所示：
透過型半導體（核輻射）偵檢器     
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　　如同核輻射可完全透射偵檢器，具有薄窗與敏感層之半導體核輻射偵檢器。
射     
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用推力或彈力送出弓箭、炮彈等物體。如：「射箭」、「發射」、「注射」、「射擊」、「掃射」。
用語言或文字來暗示。如：「影射」、「隱射」。
光線映照。如：「反射」、「折射」、「光芒四射」。
僕射：秦代設置的官名，相當於宰相的職務。
射干：A>一種多年生草本，鮮黃色，鬚根很多，葉成扇狀，花有濃紫色的斑點，根可當藥，有清熱解毒的功效。B>古代一種長得像狐狸，能夠爬樹的野獸。
無射：古代十二音律之一。
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