:::
全部耗乏層型半導體(核輻射)偵檢器 - 教育百科
全 | |
部 | |
耗 | |
乏 | |
層 | |
型 | |
半 | |
導 | |
體 | |
( | |
核 | |
輻 | |
射 | |
) | |
偵 | |
檢 | |
器 |
國家教育研究院辭書
基本資料
英文: | totally-depleted semiconductor (nuclear radiation) detector |
日期: | 1984年 |
出處: | 保健物理辭典 |
辭書內容
名詞解釋: 具有薄窗而偵檢器的厚度全部被耗乏層所占有的偵檢器。 |
|
資料來源: | 國家教育研究院_全部耗乏層型半導體(核輻射)偵檢器 |
授權資訊: | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |
貓頭鷹博士