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零插力（插座）；便於安裝CPU的插座
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積體電路的一種插座；其開或關係由桿或螺釘決定。當在開啟狀態時，晶片可在不外加任何壓力情況下，放置於插座上；隨後插座將自動關閉，使得其接點扣住晶片上的插釘。此類插座適用於測試設備，因其常需頻繁地插入與移除晶片。
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克（勞秀士）‧克（萊波隆）二氏方程式
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確定物質相變化曲線的斜率與潛熱關係的方程式：
其中P是壓力；T是發生相變的溫度；ΔH是焓的變化，即相變潛熱；而ΔV是相變時的體積變化。 |
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查（普曼）‧焦（季特）二氏爆震
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（請參見Chapman-Jouguet point及detonation）。當燃燒波在可燃混合物中傳播時如燃燒生成物的狀態位於上查‧焦二氏點（參見Chapman-Jouguet point），則這種爆震稱為查‧焦二氏爆震。理論上可以證明查‧焦二氏爆震以超音速的速度在未燃物質中傳播，而燃燒生成物與燃燒波的相對速度則為音速。其在未燃物質中的傳播速度單靠氣體動力學即可求得，這樣求得的速度與實驗值很相近。
查‧焦二氏爆震是最安定的爆震，凡自發性的爆震通常皆為查‧焦二氏爆震。 |
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達（西）‧魏（斯巴）二氏摩擦係數
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此摩擦係數f，係用在管流摩擦阻力基本關係式中：
τ0為管壁面之剪應力強度(intensity of shear)；V為管流平均速度；ρ為流體密度。當管流之雷諾茲數R=VD/v低於2,000時，由實驗資料顯示 f＝64/R 當 R 值大於 2,000，並發展為亂流之管流後，若為光滑管，由實驗資料得： 是為卡門—普朗特光滑管阻力方程式(Karm'an-Prandtl resistance equation for smooth pipes)。若為粗糙管，得： 是為卡... |
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無旋（轉）流，非（黏）旋性流
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若流體粒子（或元素，element）在無黏滯性流體流動中，相對於其本身中心點並無旋轉，則此流動稱為非（黏）性旋性流。例如在二維流場中，若u 和v 分別表示流體粒子沿著x 和y 軸的速度分量，則無旋（轉）流的速度向量旋度應為零，亦即旋渦(vorticity)為零。數學式子為(∂v/∂x)－(∂u/∂y)＝0，圖1(a)，(b)和(c)為二維非（黏）旋性流的示列圖。實用上即運動上不受黏性牽制之流動，如邊界層以外之流動。
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大量儲存；大量儲存（體）；大容量儲存器
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可存儲大量資料的輔助儲存裝置，例如硬碟機、磁帶機與光碟機。
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自由（液）面條件
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在理想情況下，液體分子的運動(motion of particles)可用速度勢(velocity potential)ф表示之，由流體動力學(hydrodynamics)的理論，吾人可證明，在液體與空氣的接觸面（即所謂的自由液面），下列的條件恆成立：
∂2ф/ ∂t2-g(∂ф/ ∂z)＝0，此條件即稱為自由液面條件。 式中之t表示時間；g表示重力加速度；而z表示垂向座標(vertical or elevation coordinate)。 |
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電泳（動）速度
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膠體粒子系中輸加電場則粒子開始運動，稱電泳動(electrophoresis)。電泳動現象可自兩相異觀點說明之。第一種看法是將外部電場視為作用於粒子的電荷。則泳動速度的Stokes式如下：
Q與a分別為粒子的電荷與半徑；η與E則分別為黏度與電場。第二種看法是此式尚須進行電性雙層(electrical double layer)氣氛運動的修正。因為粒子周圍的正負對離子受外部電場的影響被迫就相反方向移動，其運動與傳達給粒子周圍液體的純粹流體力學性運動相異。此種運動的發生，粒子並非於靜止被中運動，而是逆方向移動液中運動，因而導致泳動速度的減小。其嚴密計算結果得H... |
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（巨）正則分佈函數
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當一個系統有一固定的體積V，它不但可以和其他系統交換能量，而且也可以和其他系統交換粒子，因而這個系統的能量及粒子數都不固定。吉布士(Gibbs)於1902年為了研究這類交換粒子及能量的過程，而引入了正則系統。在正則系統下，當平衡時，在某一時間t，系統被發現在粒子數為Nr，能量為Es的機率Pr,s可寫成：
其中α=-μ/kT；及β=1/kT；為系統的化學式；k為波子曼常數；T為絕對溫度。此種分佈我們稱為正則分佈函數。其中α的引入表示系統達到平衡時，熱力學的化學式要相同，而β的引入則是表示系統在平衡時，熱力學溫度要相同。 |
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寫入（模式）快取記憶體
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一種為保持快取記憶體和動態隨機存取記憶體（DRAM）內容一致的工作方式。只要每次CPU存取快取記憶體時，也同時將相同的資料拷貝一份放入DRAM中。這是早期CPU（如486DX2之前）的主要設計方式。參【寫回快取記憶體】（write back cache）。
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 曾經查過此詞彙的人也經常查詢以下字詞： |
貓頭鷹博士