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微分dE/dX型半導體檢器     
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  為了測定在檢器的厚度dX中荷電粒子的能量損失dE,較之入射荷電粒子的行程具有薄敏感層之半導體核輻射檢器。主要是用於荷電粒子的識別。
    
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察敵情的騎兵。
鋰漂移半導體(核輻射)檢器     
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  在p形矽或鍺將鋰經電場漂移,除去受體雜質的電荷而作成高的阻抗層,以保持厚的敏感部分之核輻射檢器。為p-i-n檢器的一種。鋰漂移矽檢器的寫法是Si(Li)檢器。鋰漂移鍺之寫法為Ge(Li)檢器。
  如下圖所示:
  藉游離的核輻射作成一電洞、電子對,更進一步如電子突崩般地藉電子二次過程而能產生倍增放大信號的核輻射檢器。有於圓錐狀之平面形半導體檢器作成高電場者,亦有用電晶體的方式。
檢效率     
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  1.所檢游離輻射數目對於從輻射源釋出游離輻射數目之比。
  2.所檢游離輻射數目對於入射於檢器游離輻射數目之比。
  上述第二種情形又稱為檢效率detection efficiency或固有檢效率intrinsic detection efficiency。
載波感測多元存取╱具碰撞     
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為在乙太網路當中,電腦之間的溝通方式、通訊協定。此通訊協定的基本想法為:
(一)觀察是否有別的機器在使用這個通道。
(二)觀察資料在傳送時有沒有發生碰撞。
(三)如果沒有發生碰撞,那這次的傳輸就成功。
(四)如果發生碰撞就再重傳。
  藉表面障壁使用整流性接合的半導體輻射檢器。例如在n形矽上電鍍金的荷電粒子檢器。
  利用擴散施體(donor)或受體(acceptor)雜質而作成之p-n接合或n-p接合的半導體游離輻射檢器。亦稱p-n接合檢器(p-n junction detector),n-p接合檢器(n-p junction detector),或接合檢器(junction detector)。
  具有薄窗而檢器的厚度全部被耗乏層所占有的檢器。
同軸半導體(核輻射)檢器     
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  為同軸圓柱狀,於外圍與中心軸部分之間具有敏感部分的半導體核輻射檢器。通常的同軸型鍺(鋰)[Ge (Li)]檢器為外周部分是n+層,中心軸部分是p層,在此二者之間具有鋰(Li)補償之耗乏區域。可製成具有大體積敏感部分的檢器。亦稱真同軸檢器(true coaxial detector),或二開端同軸檢器(two-open-end coaxial detector)。
  如圖下所示:
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