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同軸半導體（核輻射）偵檢器
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為同軸圓柱狀，於外圍與中心軸部分之間具有敏感部分的半導體核輻射偵檢器。通常的同軸型鍺（鋰）[Ge (Li)]偵檢器為外周部分是n+層，中心軸部分是p層，在此二者之間具有鋰(Li)補償之耗乏區域。可製成具有大體積敏感部分的偵檢器。亦稱真同軸偵檢器(true coaxial detector)，或二開端同軸偵檢器(two-open-end coaxial detector)。
如圖下所示： |
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高純度鍺偵檢器
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鋰漂移鍺偵檢器，具有所謂時常需要加以液態氮冷却之缺點。為改進這缺點已成功地發展高純度鍺單晶體（雜質濃度～1010公分-3）的p-n接合偵檢器。僅於使用時需要液態氮冷却。現在使用者計有平面型，同軸型，閉端同軸型。亦稱超純鍺偵檢器(hyper-pure germanium detector)，固有鍺偵檢器(intrinsic germanium detector)。
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偵聽
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用竊聽的方式探尋機密。如：「情報人員不停的偵聽敵人收發電報的情形，敵軍的一舉一動，都在掌握之中。」
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平面型半導體（核輻射）偵檢器
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p層與n層之間作成平行板電極之形式，其間具有核輻射敏惑部分的半導體偵檢器。見下圖所示：
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硼（或鋰）被覆半導體偵檢器
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藉偵檢10B(n,α)7Li反應或6Li(n,α)3H反應結果所產生的α粒子，以測定中子為目的，而將硼或鋰被覆於半導體的偵檢器。
如下圖所示： |
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絕對總吸收尖峯偵檢效率
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以總吸收尖峯偵檢出游離輻射數目對於從輻射源釋出的游離輻射數目之比。也稱為絕對全部能量尖峯偵檢效率(absolute full energy peak detection efficiency)。在γ射線的情形，亦稱為絕對光電尖峯偵檢效率(absolute photo-peak detection efficiency)。
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閉端同軸半導體（核輻射）偵檢器
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垂直於圓柱狀單晶體軸的一個表面中心部分，以及其餘全部表面分別作為負電極與正電極。在其二電極之間具有核輻射敏感區域之半導體核輻射偵檢器。可製成具有大體積敏感區域的偵檢器。亦稱單一開端同軸偵檢器(single-open-end coaxial detector)，五邊偵檢器(five-sided detector)。
如下圖所示： |
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手足偵測器
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一種表面污染的偵測器。常安裝於處理放射性工作場所的一定位置，用以偵檢手足上放射性的污染情形。此偵測器係採用自動記錄式，其原理與普通偵測器無異。常見的手足偵測器是使用比例計數器或薄窗的蓋氏計數器，偵測時將雙手插入手足偵測器前的二孔道，將腳踩上下面的臺上，即可偵測手足污染。如下圖所示：
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1/v偵檢器
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對於中子與物質起反應的截面，利用其與中子速度成v成反比的物質，換算成中子密度n或某特定速度v0的中子，以測定中子通率nv0的偵檢器。
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透過型半導體（核輻射）偵檢器
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如同核輻射可完全透射偵檢器，具有薄窗與敏感層之半導體核輻射偵檢器。
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貓頭鷹博士