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雙行記憶體模組
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帶有積體電路記憶體的小電路板，與單行記憶體模組（SIMM）不同，在板兩邊均有信號與電力插針SIMM的各個金或鉛的插針雖然在該晶片的雙邊，連接於相同記憶體晶片。但在DIMM，模組各邊連到不同的晶片，因此容許較寬資料路徑，使更多模組被立刻存取。DIMM的插針被安排成鋸齒形以允許印刷電路板（PCB）軌經過它們。雙邊接觸的8位元組DIMM格式可適應4與16百萬位元DRAM晶片，並被預測可調處64及256百萬位元裝置。SIMM具有64位元資料路徑，但DIMM有128位元資料路徑。業者相信大多數個人電腦所用SIMM終究非由DIMM取代。
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點位址模式
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指電腦程式可對螢幕上的個別點或列印字元定址的操作。
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最大常模電壓
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指系統仍可依規格正常運作之可承受之最大常模電壓。
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定床模型
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在水工模型裡（參見hydraulic model），模型底床不會因水流作用而變形之模型稱之。一般多指由堅硬岩石或人造不變形物（如水泥）組成之底床，但有時由泥砂組成之底床在小流速流況下泥砂尚未起動前的狀況下亦稱為定床模型，定床模型試驗多用來探討水面線及水流特性的變化。
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中齊模式
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在文字處理系統中，對一行正文定位，使它的中點與給定的一參考點位置對齊的一種模式。
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艾里斯模式
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流體流動時，其應力與應變或應變率之間的關係，隨流體性質及其流動狀況而有不同。有各種不同的模式方程式，用以描述其間的相互關係；艾里斯模式為其中之一，其方程式如下所示：
其中，τyx為剪切應力；vx為速度；y為座標：ψ0, ψ1, α為模式參數。 此模式適用範圍很大；若α＞1，當τ很小時，趨近於牛頓定律；若α＜1，當τyx很大時，趨近於牛頓定律；ψ1=0時，相當於牛頓定律，ψ0=0時，則相當於指數定律。 |
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存取模板
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在多維存取記憶體中可以按字、按位元組或按字節的方式存取資料。所謂存取模板係將這些存取方式當作一種模板形式，並放在記憶體的適當位置，以表示可對它覆蓋下的資料進行存取。例如字存取模板包含一個字的所有位置。位元組存取模板包含一個位元組所有字的某一位置，可以將它們分別放在任何一個儲存字和任何一個位元組的位置上。故對不同形狀的模板在不同位置上所覆蓋的儲存位置進行存取時，可按字、按位元組和按字節對記憶體進行存取。
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密封資料模組
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指將存取臂和磁碟封裝成一個固定的單元。此即是溫徹斯特技術（Winchester technology）。參【硬碟】（hard disk; HD）。
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重寫模式
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在文字輸入模態，將新輸入的字元取代（覆蓋）游標左邊的原有字元。同【重打模式】（overtype mode）。參【插入模式】（insert mode）。
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模板碼
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由自動電腦輔助軟體設計系統所產生的虛擬碼程式，在編譯之前需要進一步由人工手動修改為正常的程式碼。
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貓頭鷹博士