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突崩注入型金氧半導體記憶體 - 教育百科
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國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | avalanche injection type MOS memory |
| 日期： | 2003年6月 |
| 出處： | 資訊與通信術語辭典 |
辭書內容
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名詞解釋： 係不能用電的方法抹除所存資訊的一種非易失性儲存體。其優點是結構簡單、儲存內容不易消失；缺點是寫入時間長。 |
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| 資料來源： | 國家教育研究院_突崩注入型金氧半導體記憶體 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |
貓頭鷹博士