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金氧半導體隨機存取記憶體 - 教育百科
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國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | metal oxide semiconductor random access memory module |
| 日期： | 2003年6月 |
| 出處： | 資訊與通信術語辭典 |
辭書內容
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名詞解釋： 利用金氧半導體場效應為基本設計元件所製成的超大型積體電路隨機存取記憶體。 |
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| 資料來源： | 國家教育研究院_金氧半導體隨機存取記憶體 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |
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