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邊界層能量厚度
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在非可壓縮邊界層流中，邊界層內之流速為u，邊界層外緣勢流流速為 ，流場中之流體密度均為ρ，則定義邊界層能量厚度為邊界層內流體流在勢流流速下，應有的動能與邊界層流實際的動能之差，相差於由邊界至某一厚度δ3的流體在勢流流速下所具有的動能。以方程式表示，可為
解得 |
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邊界暫存器
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指多程式系統中的一種專用暫存器，用以指明每一個用戶程式所占用的內儲存區的上下界位址。
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雙字邊界
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指雙字記憶單位的第一字必需落在記憶位址數可為2整除的邊界上。
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不穩邊界層
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通常不穩邊界層發生於固體產生運動時或當其運動為週期性時。當然，在固體靜止不動而流體進行週期性運動時亦會產生不穩邊界層現象。倘若吾人考慮二維可壓縮非穩態流時，其不穩邊界層方程式如下所示：
P＝ρRT μ＝μ(T) 而其邊界條件為： y＝0時; u=Uw(t), v＝0, T＝Tw(x,t) y＝∞時; u＝U(x,t),T＝T∞(x,t) |
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行邊界
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正文中每行的第一個字符出現的位置。
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三維邊界層
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流體流經邊界之三維運動受邊界層外勢流及固體邊界形狀之影響。以板流為例，勢流之速度分量分別為U(x, z)與W(x, z)，因此穩態時之勢流壓力分佈為p＋1／2ρ[U2＋W2]＝常數，在高雷諾茲(Reynolds)數條件下，因∂p /∂y很小而忽略y軸之動量方程式，壓力僅考慮在x，z軸方向變化，因此邊界層方程式可寫為：
而其邊界條件為： y＝0時，u＝v＝w＝0; y＝∞時，u＝U(x,z), w＝(x,z) 式中，u, v, w為邊界層內流速之x, y, z三軸分量，ρ為流體密度；p為流體壓力；v為流體之運動黏度。 |
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兩點邊界問題
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當問題的數學描述可以寫為一微分方程式，若其邊界條件為變數在兩點的已知性質，則稱為兩點邊界問題。
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邊界層消能厚度
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在可壓縮邊界層流中，設邊界層內流體密度為ρ，流速為u，邊界層外緣勢流流體密度為ρ1，流速為 ，則定義邊界層消能厚度為邊界層內流體流在勢流流速下，應有的動能與邊界層流實際的動能之差，相當於邊界層外流體流在某一厚度所具有的動能。此一厚度即稱為邊界層消能厚度。邊界層內流體流在勢流流速下之應有的動能為
邊界層內流體實有的動能為 邊界層外流體衰減之能量為 用方程式表之，可為 解得 對於非可壓縮邊界層流而言，邊界層內、外之流體密度均為... |
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位元組邊界
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在IBM系統中，儲存器的儲存單元按位元組編址，位元組位址稱為位元組邊界。一個字所在的儲存單元的位址為該字長度（以位元組為單位）的整數倍，即為這個字的字邊界。例如半字（兩個位元組長）的位址的最低一個二進位為0，稱為半字邊界；全字（四個位元組長）的位址的最低兩位為0，稱為全字邊界。雙字（八個位元組長）的位址最低三位為0，稱為雙字邊界。這種規定減少了不必要的儲存查尋時間，簡化了訪問控制。
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全字邊界
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在IBM系統中，儲存器的儲存單元按位元組編址，位元組位址稱為位元組界。一個字所在的儲存單元的位址為該字長度的整數倍，是這個字的字界。例如二個位元組的半字，其位址的最低一個二進位為0，稱為半字界；四個位元組的全字，其位址的最低兩位為0，稱為全字界。又八個位元組的雙字，其位址的最低三位為0，稱為雙字界。這種規定減少了不必要的儲存單元存取時間，簡化了存取控制。
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 曾經查過此詞彙的人也經常查詢以下字詞： |
貓頭鷹博士