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半導體     
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在室溫下，其電阻係數介乎良導體與絕緣體之間的物質。這些物質在接近絕對零度時，若結構完整，沒有雜質，則性質類似絕緣體。溫度升高時，其導電性漸增。其中以電子為主要導電載體的稱為「ｎ型」，以電洞為主要載體的稱為「ｐ型」。利用這些物質適當的組合，可以製造整流器、檢波器及電射等。而研究半導體材料的分析、性能結構、製造等化學，特稱為「半導體化學」，是目前發展迅速的學科。
P型半導體     
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一種半導體，在純的半導體矽或鍺內摻雜部分的三價的元素，如硼、鋁、鎵等而成的。因三價的元素和純半導體作用，使原子的電子數不平衡而產生正電荷（positive）的電洞因而得名。
半導體（核輻射）偵檢器     
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　　藉核輻射的作用，利用半導體中的電子、電洞對之生成及其移動的核輻射偵檢器。作為半導體可使用矽(Si)、鍺(Ge)、鎵砷(GaAs)、鎘碲(CdTe)等。亦稱半導體（核輻射）計數器，固態偵檢器（簡稱SSD）。如下圖所示：
n型半導體     
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一種半導體，在純的半導體矽或鍺內摻雜部分五價的元素而成。因五價的元素和純半導體作用，使原子的電子數不平衡而產生超額的電子因而得名。參【p型半導體】（P-type semiconductor）。
p-i-n型半導體（核輻射）偵檢器     
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　　於p層與n層之間具有耗乏或近於耗乏區域半導體的核輻射偵檢器。是鋰(Li)漂移偵檢器的一種。
　　如下圖所示：
本質半導體     
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一種帶正電荷載子（電洞）與帶負電荷載子（電子）處於平衡狀態的半導體。
半導體記憶體     
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利用半導體所構成的記憶元件。大都用作電子計算機內的主記憶體，主要包括唯讀記憶體（ROM）和隨機取存記憶體（RAM）兩種。也作「半導體記憶器」。
微分dE／dX型半導體偵檢器     
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　　為了測定在偵檢器的厚度dX中荷電粒子的能量損失dE，較之入射荷電粒子的行程具有薄敏感層之半導體核輻射偵檢器。主要是用於荷電粒子的識別。
鋰漂移半導體（核輻射）偵檢器     
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　　在p形矽或鍺將鋰經電場漂移，除去受體雜質的電荷而作成高的阻抗層，以保持厚的敏感部分之核輻射偵檢器。為p-i-n偵檢器的一種。鋰漂移矽偵檢器的寫法是Si(Li)偵檢器。鋰漂移鍺之寫法為Ge(Li)偵檢器。
　　如下圖所示：
（內部）放大型半導體（核輻射）偵檢器     
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　　藉游離的核輻射作成一電洞、電子對，更進一步如電子突崩般地藉電子二次過程而能產生倍增放大信號的核輻射偵檢器。有於圓錐狀之平面形半導體偵檢器作成高電場者，亦有用電晶體的方式。
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