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突崩     
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  單一帶電粒子在強電場加速下,撞擊中性氣體分子,不斷連鎖產生更多帶電粒子的複製過程,這種持續增加離子的現象又稱唐生游離(Townsend ionization)或唐生突崩(Townsend avalanche)。
在金氧半導體記憶體當中,堆疊的閘級突然發生崩潰注入的記憶體。
電子突崩     
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  一電子撞擊一個以上的軌道電子並使之脫軌的鏈反應,然後這些自由電子再以同樣的作用擊出其他的電子,如此繼續下去。
突崩光二極體     
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為主要用於雷射通信的光感元件。係以矽或鍺為材料的PN接合面光二極體上加逆偏壓,當PN接合面吸收入射光後可形成正孔與電子配對,P層內所生載子,借助電場作用產生漂移;被吸收到電極上就成為電流。如加大逆偏壓至崩潰電壓附近產生突崩,使光電流增加者,有此種特性的二極體即為突崩光二極體。
突崩注入型金氧半導體記憶體     
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係不能用電的方法抹除所存資訊的一種非易失性儲存體。其優點是結構簡單、儲存內容不易消失;缺點是寫入時間長。
突崩感應遷移     
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指在可程式唯讀記憶體內,源於矽的鋁遷移引起之擴散接面永久性短路的過程。
    
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忽然。如:「突然」、「突變」、「突兀」、「突發」、「突如其來」。
觸犯、冒犯。如:「唐突」、「衝突」。
衝擊撞破。如:「突圍」、「突破」。
凸起、高出周圍。如:「突起」、「突出」。
凸出的東西。如:「煙突」。
    
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倒塌。如:「山崩」、「崩塌」。
毀壞。如:「崩潰」、「禮廢樂崩」、「分崩離析」。
古稱天子之死。如:「駕崩」、「崩殂」。
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