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突崩光二極體 - 教育百科
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| 二 | |
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| 體 |
國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | avalanche photo diode |
| 日期： | 2003年6月 |
| 出處： | 資訊與通信術語辭典 |
辭書內容
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名詞解釋： 為主要用於雷射通信的光感元件。係以矽或鍺為材料的PN接合面光二極體上加逆偏壓，當PN接合面吸收入射光後可形成正孔與電子配對，P層內所生載子，借助電場作用產生漂移；被吸收到電極上就成為電流。如加大逆偏壓至崩潰電壓附近產生突崩，使光電流增加者，有此種特性的二極體即為突崩光二極體。 |
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| 資料來源： | 國家教育研究院_突崩光二極體 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |