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高電子移動性電晶體 - 教育百科
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國家教育研究院辭書
基本資料
| 英文： | high electron mobility transistor |
| 日期： | 2003年6月 |
| 出處： | 資訊與通信術語辭典 |
辭書內容
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名詞解釋： 1980年由日本富士通（Fujitsu）發明的一種使用砷化鎵（GaAs）和砷化鋁鎵（AlGaAs）相間製造之電晶體。該電晶體應用在衛星電視廣播已證實在微波頻率下有低雜訊的工作績效。現富士通應用在邏輯和記憶的晶片上，其效能和大型主機所使用的二極型矽電路比較一矽閘之耗電率為2毫瓦，而本技術的閘只需0.24毫瓦，工作時間為85微微秒。總體績效而言，比傳統的使用的矽技術好5到10倍，唯其製程十分困難，使應用受阻。若能克服生產問題，將大幅提升電腦的工作效率。 |
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| 資料來源： | 國家教育研究院_高電子移動性電晶體 |
| 授權資訊： | 資料採「 創用CC-姓名標示- 禁止改作 臺灣3.0版授權條款」釋出 |